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芯能發(fā)布汽車級大功率IGBT芯片

芯能半導體芯能半導體 Loading... 2020-03-17

2019年新能源汽車市場雖受到政府相關支持政策退坡影響，但全年銷量仍然超過120萬輛。與此同時，充電基礎設施也迎來了爆發(fā)期，截至2019年年底，全國充電基礎設施累計數量也已超過100萬套。IGBT模塊是新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，成本占到新能源整車成本的5~10%，占到充電樁成本的近20%。

芯能作為國內專業(yè)的，專注于IGBT功率器件產品供應商，從2015年開始涉足汽車IGBT的研發(fā)，我司經過多年的多次優(yōu)化、反復驗證，在2019年12月成功研發(fā)出了芯能完全自主的汽車級750V200A IGBT芯片。

1、芯片信息

本芯片采用國際領先的溝槽柵+場截止技術，并針對車用場合進行了器件設計和工藝優(yōu)化。一方面在保證了擊穿電壓有足夠冗余的情況下，獲得較好的導通壓降，同時優(yōu)化了芯片布局，讓器件的開關特性更好，更經濟適用。

■750V,200A

■溝槽柵+場截止技術

■超低損耗

■高可靠性

■高結溫175℃

■通過嚴苛的汽車級可靠性測試

2、模塊信息

此產品是750V400A的三相全橋IGBT模塊，以自主研發(fā)750V200A IGBT芯片和定制的750V200A FRD芯片為核心，基于行業(yè)成熟通用封裝形式。采用真空焊片焊接工藝降低焊接空洞率；采用氧化鋁陶瓷DCB，保證高絕緣強度的情況下，提高模塊導熱性。750V電壓等級，彌補常規(guī)600V，650V在有些電壓平臺耐壓不足的缺點，提高可靠性。