芯能新一代1200V IGBT芯片研發成功
XINER MPT產品封裝品
XINER MPT產品靜態參數@40A
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型號 |
VTH(V) |
VCESAT(V) |
VF(V) |
CIES(nF) |
COES(pF) |
CRES(pF) |
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K40T***** |
5.65 |
1.87 |
1.68 |
2.3 |
216 |
127 |
|
XNS40N120T |
5.81 |
1.39 |
2.06 |
5.49 |
177 |
44.6 |
動態波形
短路波形
XINER MPT產品動態參數
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測試條件：Vcc=600V，Ic=40A，Rg=20ohm，Cge=0 |
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型號 |
Esw (mJ) |
Eon (mJ) |
dv/dt-on (v/ns) |
di/dt-on (A/us) |
Eoff (mJ) |
dv/dt-off (v/ns) |
di/dt-off (A/us) |
|
XNS40N120T |
8.6 |
5.2 |
1.6 |
362 |
3.4 |
4.77 |
250 |
|
K40T***** |
10.4 |
5.6 |
1.26 |
387 |
4.8 |
3.63 |
151 |
變頻器測試
變頻器溫度數據
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380VAC/7.5KW變頻器/17ARMS負載/fsw=5Khz |
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探頭 |
XNS40N120T |
K40T***** |
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UH(℃) |
58.2 |
68.6 |
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UL(℃) |
58 |
67 |
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WH(℃) |
61 |
67 |
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VL(℃) |
59 |
67.5 |
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散熱器(℃) |
55 |
63 |
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環溫(℃) |
28 |
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2.5倍過流負載測試
在7.5KW變頻器上進行測試驗證，各負載下波形良好，滿載工況時產品表面溫度可降低6-10℃，效果十分明顯。損耗的降低，可有利客戶減小散熱器體積，提供系統功率密度；或可降低產品工作溫度提高其可靠性和延長壽命，提高系統的環境的耐受能力。
隨著新一代先進芯片研發成功，下一步XINER會抓緊時間為其批量化、系列化做足工作。早日為國產IGBT器件的技術更新貢獻自己的一份力量。
